倒相器论文

SiC MOS器件和电路温度特性的研究
论文摘要宽带隙半导体材料SiC因其高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。而以MOS技术为基础的SiC金属...