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Er2O3高k栅介质材料的分子束外延生长、结构及其物理特性
论文摘要微电子工业的发展,对集成电路密度和性能提出了越来越高的要求,栅介质层的厚度也随之变得越来越薄。由于栅介质氧化层的直接隧穿而引起的静态功率损耗随之成指数形式增长,传统的S...