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光阻膜厚与前层图形对于多晶硅关键尺寸影响的研究
论文摘要目前整个IC制造工艺中关键尺寸从0.35微米大幅进步到0.18微米之后,已迈向0.13微米,整个技术仍然继续朝着关键尺寸进一步微细化方向发展。整个半导体工艺技术的发展随...