![半导体材料的发展现状]()
（天津环鑫科技发展有限公司300384）摘要：第一代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、...
![等离子体浸没离子注入技术在ZnO薄膜p型改性方面的应用研究]()
论文摘要能源、材料和信息是新技术革命的先导,是现代文明的三大支柱。半导体材料是支撑现代信息社会的基石,也是新型能源开发和利用的重要基础。人们对半导体材料的研究和利用是从锗（Ge...
![半导体材料制造企业实施清洁生产的问题和对策分析]()
论文摘要信息技术产业的飞速发展,对作为该产业的底层支撑的半导体材料有着非常大的需求。特别是以砷化镓材料为主的新型的高性能半导体材料有着非常良好的市场前景。但随着半导体行业的发展...
![MOCVD方法生长单晶ZnO、p型掺杂及同质ZnO-LED室温电致发光研究]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导体材料,如已经在蓝紫光波...
![一维纳米功能材料的制备与特性研究]()
论文摘要本论文以纳米材料的制备和应用为背景,以一维纳米功能材料的制各为重点,报道了一些纳米材料领域中的前沿研究进展和我们的研究工作成果。主要研究内容有:1、碳纳米管有容易弯曲缠...
![硅基ZnO薄膜与一维ZnO材料的显微结构研究]()
论文摘要氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料，室温下的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，远高于其他宽禁带半导体材料，也高于室温下的热运动能，可以实现室温或更...
![半导体纳米材料的制备及发光性质的研究]()
论文题目:半导体纳米材料的制备及发光性质的研究论文类型:博士论文论文专业:材料学作者:顾锋导师:吕孟凯关键词:半导体材料,纳米材料,发光,掺杂文献来源:山东大学发表年度:200...
![张梦琪：天然针铁矿与合成针铁矿半导体性能对比论文]()
本文主要研究内容作者张梦琪,孙莎莎,施振生（2019）在《天然针铁矿与合成针铁矿半导体性能对比》一文中研究指出：利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线荧光光谱仪、X射线吸收谱...
![罗福源：半导体材料电火花线切割新型弯丝检测方法研究论文]()
本文主要研究内容作者罗福源,焦银亮,杨杰（2019）在《半导体材料电火花线切割新型弯丝检测方法研究》一文中研究指出：电火花线切割半导体材料时,由于材料体电阻较大且存在接触势垒,...
![王珊珊：金催化的硅纳米线的可控制备及光学特性研究论文]()
本文主要研究内容作者王珊珊,殷淑静,梁海锋,韩军（2019）在《金催化的硅纳米线的可控制备及光学特性研究》一文中研究指出：硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧...
![吴求兵：半导体材料在限流接闪装置中的应用论文]()
本文主要研究内容作者吴求兵,罗家明,王姣,刘旭（2019）在《半导体材料在限流接闪装置中的应用》一文中研究指出：限流接闪装置是在传统金属接闪杆的基础上发展起来的一种接闪器,具有...
