半绝缘砷化镓论文

热处理对大直径LEC SI-GaAs中缺陷及电性能的影响
论文摘要GaAs是发展最快的第二代化合物半导体材料,具有高迁移率、直接跃迁型能带结构等优点,适合制造高频、高速器件和电路。作为基础半导体材料的半绝缘砷化镓（SI-GaAs）市场...
半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷
论文摘要GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路，由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以液封直拉...