论文摘要作为薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)和主动式有机电致发光显示(AM-OLED)驱动电路的核心部分,薄膜晶体管(TFT)的研究一直是TFT-LCD和AM-OLED显示...
论文摘要本文主要研究了非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)在栅漏电应力条件下的的退化特征,并分析其相应退化机制。在正栅压(Vg)应力下,缺陷态的产生(statecreation)...
论文摘要薄膜晶体管(TFTsThinFilmTransistors)作为一种固态电子开关器件,在传感器、平板显示、集成电路等领域中有着广泛的应用。近些年来,随着透明电子学的发展...
论文摘要本论文针对多晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistors,TFTs)提出了一个适用的阈值电压模型和一种新的源、漏寄生电阻提取方法。首先,本文成功地推导出了多晶...
论文摘要主动式有机电致发光显示器件(AM-OLED)作为新一代显示技术,已经成为当前研究的热点,而薄膜晶体管(TFT)作为AM-OLED的核心部件。薄膜晶体管按照有源层材料分类...
论文摘要氧化锌材料是一种直接带隙宽禁带半导体材料,其在固体照明、信息存储以及显示领域具有巨大的应用潜力。然而,高质量、稳定、可重复的p-ZnO薄膜的制备一直存在较大困难,使得Z...
论文摘要本论文的主要实验内容是在ITO玻璃衬底上利用等离子增强金属有机化学气相淀积-Ⅱ系统制备氧化镁薄膜材料及氧化锌半导体薄膜材料。实验中通过改变生长时的氧气流量和温度条件,分...
论文摘要ZnO作为一种宽禁带半导体材料(室温下禁带宽度为3.37eV),具有比GaN更高的激子束缚能(60meV),具有良好的压电和光电等性能,继GaN之后成为光电研究领域的又...
论文摘要纳米材料由于具有体相材料所不具备的新奇的物理与化学性质引起了人们广泛的研究和关注。本文报道采用基于气-液-固(Vapor-Liquid-Solid)生长机理的气相输运法...
论文摘要OLED(OrganicLight-EmittingDiode)显示屏具有超薄、超轻、自发光、高清晰、制备成本低及可实现柔性显示等优点,近年来,OLED成为平板显示领域...
论文摘要本文主要研究了金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管在热载流子(hotcarrier,HC)应力下的漏电特性,以及其所对应的物理机制;并确定了应力前后漏电的电流模型。最后...
论文摘要本文采用有限元的方法模拟了典型TSOP封装产品的塑封脱模过程。针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,采用有限元法模拟封装脱模阐明了芯片碎裂失效的机制。研...
论文摘要日益增长的信息技术对超高集成度、高速、低功耗集成电路的需求,驱使晶体管的尺寸越来越小,随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM电容介质的SiO2迅速减薄至物理极限。...
论文摘要本文首先对显示技术的发展和多晶硅薄膜的制备方法以及应用前景进行了综述,同时对Ni金属诱导非晶硅横向晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行了系统概述。多晶硅薄膜...