论文摘要半导体Bi2O3的禁带能为2.8eV左右,能吸收较长波长的光辐射,是一种理想的半导体光催化剂。Bi2O3薄膜在光催化氧化处理有机废水时,克服了粉体难分离回收的缺点,提高...
论文摘要磁控溅射技术成膜的粒子能量高,所镀膜层密度高、针孔少、纯度高,广泛应用于金属和化合物薄膜沉积。但是,传统的直流磁控溅射技术沉积速率低,靶功率密度受靶热负荷的限制,当溅射...
论文摘要在分析了薄膜结合强度的定义及其目前评估方法的基础上,提出了用激光热应力法评估薄膜蠕变性能的方法。其原理是用激光加载到试样的薄膜表面,薄膜与基体在热载荷作用下,产生热应力...
论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接带隙、宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构。由于ZnO具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性;近年来受到广泛的关注和研究。Al掺杂ZnO薄膜不...
论文摘要本研究利用层层自组装技术(Layer-by-Layer/LBL)和化学浴沉积技术(ChemicalBathDeposition/CBD)在单晶硅基片上制备TiO2薄膜和...
论文摘要本文采用分子束外延法(MBE)在MgO(001)单晶基底上制备了Bi2201薄膜,对分子束外延法生长Bi2201薄膜的制备工艺、薄膜的择优取向及其随厚度的演化情况进行了...
论文摘要膜基界面结合强度是表征薄膜质量的重要指标,是薄膜技术研究与应用中的关键技术。目前已经提出的检测膜基界面结合性能的方法有激光层裂法、划痕法、压痕法、界面压入法等计355种...
论文摘要本文对钒及钒氧化物,特别是VO2和V2O5的基本性质,制备工艺特别是溶胶凝胶工艺,和应用前景等进行了综述。VO2在68℃左右发生低温半导体态到高温金属态的相变,其电学和...
论文摘要本文主要研究不同的光敏剂添加到聚乙烯薄膜中,对薄膜的光降解性能的影响以及进一步的生物降解的性能,最终获得高效的光敏剂以及生物菌种。首先合成出硬脂酸铁FeSt3和二丁基二...
论文摘要TiO2薄膜电极是染料敏化太阳能电池的重要组成部分。制备工艺简便,成本低廉,与基体结合牢固的TiO2薄膜电极有利于推动染料敏化太阳能电池的实际应用进程。本论文采用微等离...
论文摘要目前,激光战术战略武器装备得到了快速的发展,对于3~5μm、8~12μm波段制导用中长波红外探测器的抗激光致盲技术的研究也变得越来越重要。氧化钒薄膜具有最接近室温的相变...
论文摘要本论文主要探讨利用溶胶-凝胶方法制备具有纳米结构的金属氧化物气凝胶,并对其微观结构和性质进行了研究。内容包括气凝胶的制备过程、微观结构的表征和制备条件的选择,检测了金属...
论文摘要本文利用磁控溅射方法制备了Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,研究了溅射工艺对薄膜表面形貌、化学成分的影响规律,揭示了影响薄膜化学成分的物理机制;采用示差扫描热分析、...
论文摘要Li2B4O7材料在被辐射照射后会储存接受的辐射信息,以光释光或热释光的形式释放出来,其数目与接受的辐射剂量密切相关。这一特性可应用于辐射剂量的测量。并且,该物质的有效...
论文摘要ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体(纤锌矿)结构,与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,激子束缚能为60meV,是继GaN之后的又一理...
论文摘要SrCu2O2(SCO)薄膜是1998年A.kudo等人首次制备出的非铜铁矿结构的p型直接带隙透明导电氧化物薄膜。利用该薄膜与n型氧化锌已成功制备了透明的异质结近紫外发...
论文摘要共轨供油系统单体泵是发动机中的一个关键部件,发动机工作过程中,单体泵表面处于高温、高压、易磨损状态,采用表面涂层的方法解决单体泵表面耐磨损、耐高温、防腐蚀问题,是提高发...
论文摘要ZnO具有六角纤锌矿的晶体结构,是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。由于具有大的束缚能,激子更易在室温下实现高效...
论文摘要场发射阵列可以广泛应用于平板显示、微波器件、场发射传感器等领域。其中作为微波器件的电子源尤为突出。由于目前理论还需进一步发展和工艺技术的限制,制备高性能的场发射阴极阵列...
论文摘要TiO2在紫外光下具有优异的光催化性能,在废水处理、空气净化、抗菌等环保领域有着广泛的应用,但实现其可见光催化一直是研究的难点之一。本论文提出了一种利用离子注入和后续退...