论文摘要钙钛矿结构氧化物薄膜是当前国际上备受关注的功能材料。镧系稀土锰氧化物La1-xSrxMnO3(LSMO)由于其具有优良的电磁学性能和较大的磁电阻效应,使得其在信息技术领...
论文摘要近年来,微波介质材料由于其在微波功能器件中的应用受到越来越多的关注。采用微波介质材料的谐振器、微带线等构成的微波混合集成电路,可使器件尺寸达到毫米量级,使微波介质材料成...
论文摘要Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛应用,成为目前国际上半导体技术发展的热点。然而由于GaN...
论文摘要从实验和理论两个方面对锂离子电池正极材料LiCoO2进行研究。一、使用脉冲激光沉积技术,在不同的沉积条件下制备了锂离子电池正极材料LiCoO2的薄膜。用XRD对样品进行...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙II–VI族的具有纤锌矿结构的半导体功能材料,室温下禁带宽度Eg为3.37eV,激子束缚能高达60meV,并具有良好的化学稳定性及优...
论文摘要随着磁盘面记录密度的不断提高,要求磁记录介质具有很高的矫顽力,而要在高矫顽力上记录信息,要求记录磁头材料必须具有高饱和磁感应强度。Fe-Co合金因具有高饱和磁化强度,而...
论文摘要人体足底压力分布反映有关足的结构、功能及整个身体姿势控制等情况。测试、分析足底压力可以获取人体在各体态和运动上的生理、病理力学参数和机能参数。这对临床医学诊断、疾患程度...
论文摘要TiN类薄膜具有高强度、高硬度、化学稳定性好、耐磨及防腐蚀等一系列优点,其涂层被广泛作用于机械工业中的刀具、模具等表面,是具有巨大应用前景的薄膜材料。针对现有制备工艺中...
论文摘要ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、且易与多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性质,使其具有广泛的和许多潜在的用途。对于ZnO薄膜的应用...
论文摘要ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有多种用途,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂...
论文摘要固态薄膜现已应用于多种工程系统,并适合于实现多种功能,例如在传感器的设计和微电子机械系统中,薄膜材料是必不可少的部分;在传动零件中,薄膜材料作为表面涂层可以有效地防止零...
论文摘要ZnO是一种宽带隙半导体材料(3.37eV),激子束缚能高(60meV),远高于其它宽禁带半导体材料,在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力,如紫外发光二极管(LEDs...
论文摘要稀土钙钛矿结构材料LaMO3(M=Cr、Fe、Mn等)具有明显的负温度系数(NTC)特征,可以作为负温度系数热敏电阻的新一代基础材料。通过掺杂等手段可以对LaMO3材料...
论文摘要软溶液工艺技术(SSP)是20世纪后期兴起的环境友好的先进固体材料制备技术,作为其中重要组成部分的电化学技术具有低能耗、高产率、一步成膜等优点,已经受到广泛的关注。我们...
论文摘要柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1×104h的最低使用寿命标准,在柔性衬...
论文摘要Al2O3薄膜因其优良的物理化学性质、优良的光学性质、高机械强度、高硬度、良好的透明性和绝缘性、耐磨、抗腐蚀、化学惰性等特点,应用范围越来越广,已经应用于光学,机械及微...
论文摘要本论文采用射频磁控溅射和高温退火的方法成功制备了晶格完整性良好,表面均匀致密的SiC薄膜,并通过靶面贴片的方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,然后进行...
论文摘要纳米裂纹模版法制备纳米材料的方法,由于其高效率、成本低、制备简单、可以定点生长纳米线以及制备复杂结构的优点,引起了广泛的关注,薄膜裂纹形貌及其控制技术的理论和实验工作也...
论文摘要随着微波技术的发展,大功率微波真空电子器件所要求的大电流密度、高稳定性的钡钨阴极被广泛应用,并越来越获得研究学者的重视。为了提高其性能,国内外许多研究学者一般从理论、配...
论文摘要紫外光探测器无论军用还是民用上都有重要的应用价值,所以引起人们的极大关注。近年来随着材料制备技术的发展,半导体固态紫外探测器得到广泛应用。宽禁带半导体材料ZnO由于具有...