论文摘要本文主要研究应用阴极真空电弧沉积技术在硅片上沉积纳米晶氮化锆、在硅片和石英玻璃上沉积氧化锆薄膜。在研究中,主要探讨分别改变反应气体流量和基底偏压对氮化钛、氮化锆薄膜的组...
论文摘要目前科学技术迅猛发展,在为人类生活提供极大方便的同时,也对生态环境造成了严重的污染,有毒气体和可燃性气体随时威胁着人类的生命财产安全。随着人类对生存环境要求的提高,对可...
论文摘要摩擦磨损是机器零部件的主要失效形式之一。为了提高零部件的性能和使用寿命,传统的方法是使用油润滑。但油润滑在一些苛刻的条件下就会失去作用,如高温、高压、高速、真空。而在这...
论文摘要氟碳聚合物(a-C:F)薄膜有着非常广泛的应用价值。该膜具有较好的疏水性,极低的介电常数(1.6-2.1)和生物相融性。作为疏水层应用在纸张、玻璃等材料上;作为介电层应...
论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙(室温下3.37eV),属于六方纤锌矿结构,在光电、压电及磁电子等诸多领域都具有优异的性能。ZnO具有较高的激子束缚...
论文摘要复合磁电材料因其多功能性及具有磁电效应等特点,而具有巨大的应用潜力,多年来一直受到研究者的广泛关注。Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3/NiFe2O4系磁电复合材料...
论文摘要随着科学的进步和微电子技术的飞速发展,硅基集成电路的集成度越来越高。而集成度的提高是以其核心器件金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)特征尺寸的逐渐减小为基础的。...
论文摘要本文采用磁控溅射法在Si(100)单晶衬底上制备ZrxCu1-x(0.15≤x≤0.95)二元非晶合金薄膜,采用能谱仪(EDS)表征薄膜的成分,采用台阶仪研究溅射参数如...
论文摘要目前半导体材料研究领域的热点之一是宽禁带半导体材料。SnO2薄膜是一种宽禁带隙半导体材料,它具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及优良的光电性...
论文摘要薄膜/基底二元结构和多层膜/基底结构在信息科学与工程中占有十分重要的地位.薄膜/基底结构通常是工作在残余应力场、外加应力场、温度场和电磁场的联合作用中。这类薄膜的第一类...
论文摘要CuAlO2(CAO)p型透明导电薄膜是1997年Kawazoe等人基于价带化学修饰(CMVB)理论,首次制备出的铜铁矿结构p型直接带隙透明氧化物薄膜。它的成功开发为实...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带II-VI族半导体材料,由于其优良的特性,在太阳能电池、紫外探测器、声表面波器件、气敏传感器、透明电极等方面得到了广...
论文摘要SnO2是目前应用最广泛的一种气敏材料,可以用来检测各种易燃、易爆及危险气体。本文从理论和实验两方面对其进行了研究。采用基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2的体相结构...
论文摘要为了解决逐步严重的能源危机问题,太阳能作为一种清洁能源被广泛关注。作为一种廉价、无毒、化学性质稳定的半导体,TiO2逐步成为太阳能电池研究的热点。但TiO2带隙较宽(E...
论文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(室温下Eg=3.37eV)直接带隙半导体材料,其激子束缚能高达60meV。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池...
论文摘要对于电子薄膜材料研究,薄膜的微观结构、成分和厚度是决定薄膜性能的一个关键因素。如何表征薄膜的微观结构、成分和厚度也一直是薄膜研究领域的一个重要课题,尤其是应用无损表征方...
论文摘要本文以高直链玉米淀粉为对象,运用现代观察和测试手段对其聚集态结构和理化性质进行了系统研究和表征,制备了高直链玉米淀粉热塑性流延膜和高直链玉米淀粉高取代度醋酸酯,并对其性...
论文摘要本论文研究了纳米二氧化钛薄膜、纳米铁氧化物薄膜体系,并在普通载玻片上成功制备了纳米TiO2/Fe2O3复合薄膜,对二氧化钛/铁氧化物复合薄膜体系的反应机理和光催化氧化降...
论文摘要ZnO:Al(AZO)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物(TCO)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料丰富,价格低廉且无污染...
论文摘要近来随着建筑节能的需求,低辐射玻璃(Low-E玻璃)在商业住宅和居民住宅中的应用逐渐增多。银系低辐射玻璃是世界上应用最广泛的低辐射玻璃,其介质层具有多样性,如TiO2、...