薄膜论文

论文摘要硅碳氮（SiCN）是一种新型的宽带隙半导体材料,光学特性优良,在光电子器件领域具有非常广阔的应用前景。不同Si、C、N元素含量的SiCN薄膜的带隙在2.86-5.00e...

论文摘要单晶硅是微机电系统（MEMS）的主要结构材料,氮化碳薄膜（α-CNx）和DLC薄膜具有良好的机械性能,作为防护层薄膜已被广泛用于微机电系统。径向纳动广泛存在于MEMS中...

论文摘要多铁性材料,由于同时具有铁电性和铁磁性使其在信息存储、自旋电子器件等方面有着广阔的应用前景。BiFeO3(BFO)是一种具有钙钛矿结构的多铁性材料,其居里温度为Tc=1...

论文摘要ZnO是一种具有广泛用途的新型Ⅱ-Ⅵ族多功能半导体材料,其室温禁带宽度是3.37eV,具有良好电学和光学特性,是制作紫外探测器件和紫外发光器件的理想材料。目前生长较高质...

论文摘要近年来,CoCrMo合金凭借其良好的生物相容性和力学性质逐渐成为骨科植入材料的首选,广泛应用在临床硬组织和器官的替换中,然而Co,Cr离子的潜在毒性在一定程度限制了它的...

论文摘要铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜,一种新兴的宽禁带半导体材料,其透明导电性可广泛应用于制备透明电极和太阳能电池的透明窗口材料,其紫外发光性能可应用于紫外探测器和激光器。AZO...

论文摘要聚酰亚胺（PI）具有优异的综合性能,在高新技术领域具有十分重要的应用。然而大多数的聚酰亚胺是难熔难溶的,加工成型比较困难,其应用受到了一定的限制。因此开发研制易于加工的...

论文摘要太阳能发电在解决全球能源危机,以及减缓温室效应方面有着巨大的潜在应用。作为半导体和微电子工业中最重要的基础材料,硅以其高储量、较为成熟的工艺、污染小、较高的转换效率、稳...

论文摘要氧化镍是具有典型的3d电子结构的半导体氧化物,是一种P型氧化物材料,它的禁带宽度在3.0-4.0eV之间。由于NiO薄膜具有很好的化学稳定性,较好的光学,电学和磁学特性...

论文摘要ZnO是一种宽禁带半导体材料,激子复合能高,在紫外区具有高的光电导特性,电子诱生缺陷低,外延生长温度低、成膜性强,有利于制备高性能的紫外探测器。本论文用磁控溅射法制备了...

论文摘要果品包装材料的保鲜性能对产品保护、产品流通和货架销售都有重要影响。因此,对果品包装材料的阻隔性能有严格的要求。本文以镀铝PET薄膜、PVDC薄膜为主要研究对象,系统分析...

论文摘要20世纪80年代,原子力显微镜的发明使人类不仅可以直接地观察纳米粒子,而且还可以直接地去操纵纳米粒子,因此原子力显微镜成为人类探索微观世界非常有力的工具。本文首先介绍了...

论文摘要利用磁控溅射法在硅和石英上沉积了不同厚度比的Fe/Si多层膜,通过退火制备了β-FeSi2薄膜。退火后发现硅衬底上结构为Fe（20nm）/Si（64nm）,Fe（2nm...

论文摘要采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Dy、Nd掺杂的ZnSe薄膜，在氮气气氛中，T=350℃,t=20min下对薄膜进行热处理，并采用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、...

论文摘要YBa2Cu3O7-δ高温超导材料在超导发电机、电动机、强场磁体、限流器、储能系统等方面有着广泛的应用前景。但是直接在柔性的金属Ni基带上制备YBCO涂层导体难度很大,...

论文摘要钛酸锶钡（Ba1-xSrxTiO3,BST）由于其介电常数可通过外加电场来调节（即介电可调性能）,从而成为微波调谐器件的重要材料,并获得广泛的研究。本论文利用改进溶胶凝...

论文摘要本文在全面总结了目前太阳能电池材料的研究现状和其未来发展趋势,系统研究了Si基薄膜材料各自特性的基础上,用超高真空磁控溅射仪制备了SiN/a-Si/poly-Si/Ni...

论文摘要采用射频磁控溅射方法,以硼和石墨为溅射靶材,通过调控工作气压、基片温度、溅射功率、CH4/N2/Ar气体流量比一系列实验参数,在Si（100）基片上制备不同组分的非晶B...

论文摘要近年来,氧化锌（ZnO）作为一种新型的直接宽禁带半导体材料,受到了众多研究学者的关注。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV,这一特性使其具有出色的短波长发光能力。ZnO...

论文摘要本文介绍了对丝织物进行抗菌整理的原因和现状及纳米银的性质和应用现状;分析了目前国内外在抗菌织物研究方面的主要方法,针对目前已有的制备纳米银抗菌织物方法的缺点,提出采用绿...