• 氧化亚铜粉末、薄膜的制备及其光催化性能研究

    氧化亚铜粉末、薄膜的制备及其光催化性能研究

    论文摘要氧化亚铜(Cu2O)是一种重要的无机化工原料,在涂料、玻璃、陶瓷、塑料、农业以及工业催化等领域有广泛的用途。Cu2O是p型半导体因其禁带宽度仅为2.2eV,在太阳光的照...
  • TaN微波功率薄膜电阻器的制备及性能研究

    TaN微波功率薄膜电阻器的制备及性能研究

    论文摘要TaN薄膜具有宽电阻率、低电阻温度系数以及自钝化特性而被广泛应用于微波功率电阻器中。本文采用反应磁控溅射法制备TaN薄膜,研究了溅射时间,溅射气压,溅射氮分压,热处理温...
  • 二氧化钛光子晶体的制备及其光催化性能的研究

    二氧化钛光子晶体的制备及其光催化性能的研究

    论文摘要环境污染是全世界都在关注的焦点问题。相对廉价的TiO2光催化剂在紫外光的照射下就能去除污染物,且不会产生有毒的副产物,因此受到重视。但光催化氧化技术在实际应用过程中还存...
  • LB法制备ZnO和MgxZn1-xO薄膜及其光学性能研究

    LB法制备ZnO和MgxZn1-xO薄膜及其光学性能研究

    论文摘要采用LB技术在石英衬底上制备出ZnO薄膜以及MgxZn1-xO薄膜,研究了ZnO及MgxZn1-xO薄膜的成膜条件和拉膜条件,并对制备的ZnO及MgxZn1-xO薄膜进...
  • Al掺杂ZnO薄膜制备工艺研究

    Al掺杂ZnO薄膜制备工艺研究

    论文摘要Al掺杂ZnO薄膜(AZO)是一种新型的透明导电薄膜,具有广泛应用前景。采用高密度AZO靶材用RF磁控溅射法在玻璃衬底上制备出AZO薄膜样品,研究了镀膜时间、靶衬距、A...
  • 择优取向PLZST薄膜的微观结构及电热效应研究

    择优取向PLZST薄膜的微观结构及电热效应研究

    论文摘要铁电材料在绝热条件下去极化其温度降低,称为电热效应(ECE)。利用铁电材料的电热效应制成的制冷器具有结构简单无机械运动部件、控制灵活、能量转换率高、成本低、环境友好等优...
  • 高介电常数BST微波参数谐振腔法测量

    高介电常数BST微波参数谐振腔法测量

    论文摘要由于BST(BaxSr1-xTiO3)介电常数较高(通常在100以上),传统测量块材的方法误差很大,而BST薄膜的传统测量方法—共面波导法测量步骤很复杂且花费昂贵,不适...
  • GaAs/GaN双色探测薄膜结构设计与光电特性

    GaAs/GaN双色探测薄膜结构设计与光电特性

    论文摘要为实现双色探测的目的,我们在探测薄膜材料结构设计中,提出将GaAs和GaN两种材料外延生长一起构成异质结薄膜,利用GaN带间吸收实现紫外光电探测,同时,利用GaAs自由...
  • YBa2Cu3O7-δ约瑟夫森隧道结的制备及性能研究

    YBa2Cu3O7-δ约瑟夫森隧道结的制备及性能研究

    论文摘要约瑟夫森结是超导电子学的关键元件,是超导量子干涉仪(SQUID)和其它许多超导器件的基础。微电子器件的集成化和产业化对高性能的约瑟夫森结制备提出了迫切的要求,因此制备性...
  • 新型钛酸钡基铁电薄膜的制备及分析

    新型钛酸钡基铁电薄膜的制备及分析

    论文摘要钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,简称BST)材料是一种性能优良的铁电材料,BST材料的居里温度可以通过对Ba/Sr的比例进行调节,适当组分的BST材料的居里温度在室...
  • 脉冲激光沉积铜氧化物薄膜及其非线性光学特性

    脉冲激光沉积铜氧化物薄膜及其非线性光学特性

    论文摘要具有大的光学非线性的薄膜由于在光信息存储、光限幅、全光开关等方面有着广泛的应用前景而吸引了众多研究者的兴趣。金属氧化物由于具有优良的光、电、磁等性能,以及大的光学非线性...
  • 磁控溅射制备SiC薄膜及其性能研究

    磁控溅射制备SiC薄膜及其性能研究

    论文摘要SiC具有耐高温、耐磨损、高辐射率、化学稳定性好等一系列优异的性能,是制备热防护系统表面涂层的首选材料。采用化学气相沉积、电子束蒸发等常用方法制备SiC薄膜,存在沉积温...
  • 聚偏氟乙烯挤出及改性研究

    聚偏氟乙烯挤出及改性研究

    论文摘要聚偏氟乙烯(Poly(vinylidenefluoride),简称PVDF)是氟树脂中机械强度最优越的材料。PVDF在一定温度和压力下仍能保持良好的强度,韧性好,硬度大...
  • ZnO薄膜的制备及光电特性研究

    ZnO薄膜的制备及光电特性研究

    论文摘要采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO:Al薄膜。结果表明:制备的ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温...
  • 超声喷雾热解法制备SnO2:F薄膜及性能分析

    超声喷雾热解法制备SnO2:F薄膜及性能分析

    论文摘要SnO2是一种宽带隙氧化物半导体材料,禁带宽度Eg=3.6-4.0eV。SnO2薄膜由于具有对可见光透过性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力...
  • 纳米铜薄膜制备及其激光冲击改性基础研究

    纳米铜薄膜制备及其激光冲击改性基础研究

    论文摘要本文从激光冲击强化提高金属表层综合机械性能的原理出发,对纳米Cu薄膜进行了激光冲击强化的试验研究,并对激光冲击处理后的Cu薄膜的力学及电学性能进行了测试分析,主要取得了...
  • 纳米晶TiO2多孔薄膜的模板组装制备、表征及DSSC应用中的性能

    纳米晶TiO2多孔薄膜的模板组装制备、表征及DSSC应用中的性能

    论文摘要纳米晶TiO2多孔薄膜作为重要的半导体材料,其光电化学性质研究已得到人们的广泛关注,在太阳能转换、光电子器件及光催化等方面具有重要的应用。本文采用浸渍-提拉和原位蒸发两...
  • 铁磁金属、稀磁半导体和半导体量子点中自旋电子学的光谱研究

    铁磁金属、稀磁半导体和半导体量子点中自旋电子学的光谱研究

    论文摘要磁性材料中微波光电压的发现使得人们终于找到了利用电子自旋产生电能的途径,同时它给传统的有关静磁学与自旋动力学之间相互关系的问题开辟了新的研究方向。在这篇论文中,我们首先...
  • 缓冲层、包覆层对提高ZnO纳米薄膜紫外发射性能的研究

    缓冲层、包覆层对提高ZnO纳米薄膜紫外发射性能的研究

    论文摘要ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,它具有良好的化学稳定性和热学稳定性。在室温下,它的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,如此高的激子束缚能使Zn...
  • PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3铁电薄膜结晶特性及性能

    PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3铁电薄膜结晶特性及性能

    论文摘要鉴于在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备纯钙钛矿相Pb(Mg1/3Nb2/3O3)-PbTiO3(PMN-PT)薄膜是制约其应用的主要瓶颈,本文着重研究了TiO2种子...