胞状结构论文

半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷
论文摘要GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路，由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以液封直拉...