背景载流子论文

高阻缓冲层与高迁移率GaN基HEMT材料生长研究
论文摘要以GaN为代表的第三代（宽禁带）半导体材料因其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、耐腐蚀和抗辐照等优势,特别是GaN异质结构具有高密度和高迁移率的二维电子气,被誉为是研制...