本征层论文

GaN肖特基器件电学性质的模拟研究
论文摘要氮化镓(GaN)基宽禁带半导体材料是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管、紫外探测器等光电子器件的重要材料。GaN基发光管在节约能源方面有着巨大的应用前景,而使用G...
N型衬底HIT太阳电池计算机模拟及本征层钝化作用研究
论文摘要1994年,日本三洋公司研发了一种用氢化非晶硅层作为发射层,n型织构单晶作为衬底的高效异质结太阳电池。这种太阳电池同时具备了非晶硅和晶体硅太阳电池的优点,尤其是非晶硅对...