本征论文

Al-N共掺杂实现p型ZnO的机理及其相关器件基础研究
论文摘要近年来,宽禁带半导体材料ZnO的研究已经引起人们广泛的关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有直接宽带隙（室温下3.37eV）,属于六方纤锌矿结构。由于ZnO具...