边缘感应电场效应论文

纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析
论文摘要随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件的发展。改变器件结构是最有效的解决方法之一。基...