表面恢复及重构论文

基于AFM的刻线边缘粗糙度测量技术研究
论文摘要随着集成电路“按比例缩小”趋势的不断发展，刻线临界尺寸不断减小。根据国际半导体路线图确定的目标，DRAM的半节距在2010年将达到45nm。在临界尺寸下降的过程中原先可...