表面陷阱论文

AlGaN/GaN HFET击穿特性分析与耐压新结构
论文摘要与Si、GaAs基等传统电力电子器件相比，宽禁带半导体材料GaN不但具有临界击穿电场高、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等优势，同时由于极化效应，可以与AlGaN等材料形...
In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析
论文摘要第三代半导体材料GaN具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaNHEMT的研究已经取得很大的进展,但应力诱导的压电问题一直是AlGaN...
新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究
论文摘要SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明显的优势。...