标准单元库论文

超深亚微米标准单元库的可制造性设计技术研究
论文摘要随着集成电路进入超深亚微米阶段,半导体制造工艺中广泛采用了亚波长光刻技术,导致光刻后硅片表面实际印刷图形和掩模图形不再一致。这种集成电路版图图形转移的失真,严重影响着最...
0.18μmCMOS高速标准单元库的研究与优化
论文摘要对于全定制设计来说,基于单元的设计有一个显著的优点,即对于一个给定的工艺,单元只需要设计和验证一次,而后就可以重复利用许多次,因此分摊了设计成本。为了缩短设计过程并使设...