• TiC/n型4H-SiC半导体欧姆接触研究

    TiC/n型4H-SiC半导体欧姆接触研究

    论文摘要新一代半导体材料碳化硅(SiC)是制作高温、高频、高功率器件的理想材料,欧姆接触技术是新型半导体材料尤其是宽带隙半导体器件研究的难点和关键技术。欧姆接触不仅与电极材料的...
  • n型4H-SiC欧姆接触的研究

    n型4H-SiC欧姆接触的研究

    论文摘要宽带隙半导体SiC是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触问题是宽带隙半导体器件研究中的技术难点。欧姆接触不仅与金属电极材料种类有关,还受半导体表面态的影响...