比接触电阻率论文

论文摘要SiC具有宽禁带（3.2～3.4eV），高热导率，高饱和电子漂移速率，因此被认为是制作高压，高温，高频器件的重要材料之一。欧姆接触是制作SiC器件中非常重要的一个环节，...