伯格斯矢量论文

碳化硅单晶微管道缺陷研究
论文摘要SiC晶体被称为第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙,高击穿电场,高饱和电子漂移速度和高导热性,是制作高温度,高功率,高频率和低损耗器件的良好材料。微管道是目前影响SiC...