材料生长论文

MOCVD设备反应室的设计与分析
论文摘要金属有机物化学气相淀积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来,经过70年代至80年代的...
AlInGaN/GaN HFET结构材料设计与生长技术研究
论文摘要AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度(能带)和晶格常数(应变)的特性,利用这一特性可将异质结构的应变工程和能带工程发挥到最佳,从而实现性能更为出色的异质结构材料和...