槽栅论文

增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT器件的仿真研究
论文摘要宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等...
90nm CMOS器件强场可靠性研究
论文摘要当集成电路工艺进入到90nm节点以后,器件的可靠性问题将成为延缓集成电路加工水平沿着Moore定律继续延伸的主要困难之一。研究已经发现在90nm工艺中,无论是NMOS器...