场板结构论文

AlGaN/GaN FP-HEMTs研究
论文摘要AlGaN/GaNHEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件,而第三代移动通信（3G）时代的到来,对微波功率器件的性能提出了更高的要求:一方面要求功...