场板论文

AlGaN/GaN HFET击穿特性分析与耐压新结构
论文摘要与Si、GaAs基等传统电力电子器件相比，宽禁带半导体材料GaN不但具有临界击穿电场高、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等优势，同时由于极化效应，可以与AlGaN等材料形...
新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究
论文摘要SiC材料作为第三代半导体材料的代表之一,以其较宽的禁带宽度、较高的临界击穿电场、载流子饱和漂移速度以及热导率等特性,在高温,抗辐照,高功率等工作条件下具有明显的优势。...
0.6um BCD工艺中LDMOS器件的优化
论文摘要近几年我国CMOS集成电路(IC)因国内巨大的市场需求和政府的有力扶持得到了高速的发展,大大地缩短了与国外同行的差距,然而标准的CMOS工艺只适用于低压、低功耗和大规模...
AlGaN/GaN HEMT击穿特性研究和场板结构优化设计
论文摘要新兴的第三代半导体材料GaN由于其禁带宽度大,击穿电场高,耐压能力强等优势,目前已成为国内外研究热点。近年来,AlGaN/GaNHEMT在微波大功率应用方面的前景已逐渐...