场发射论文

论文摘要纳米氧化铁（α-Fe2O3）,是一种重要的氧化物材料,具有机械性能好、化学稳定性高、结构多样性、简单易获取、环保等优点,在场发射领域具有很大的应用前景。热氧化法做为一种...

论文摘要稀土六硼化物(RB6)由于特殊的结构使其具有一系列其它材料无法比拟的优良特性,比如功函数小、硬度大、熔点高、导电率高、热稳定性好、化学稳定强等。正是由于该材料具有良好的...

论文摘要本文采用化学气相沉积的方法研制出多种能适用于场发射应用的具有复杂新形貌的In2O3纳米结构,并研究了其生长机理,实现In2O3纳米结构的可控制备。丰富了现有的In2O3...

论文摘要由于ZnO在光学、电学、压电等领域有着优越性能和诱人的应用前景,基于ZnO纳米材料的研究引起了各国学者广泛关注。在显示器领域,纳米氧化锌具有低开启电场、阈值电场、高电流...

论文摘要本文研究了N掺杂SiC一维纳米材料的合成工艺、等离子体处理和纯化处理工艺及其场发射性能。主要研究了原料质量比、等离子体种类和轰击时间、纯化工艺等对产物的微观形貌、晶体结...

论文摘要本论文分两部分,第一部分系统研究了一维硫属化合物纳米材料的可控合成、表征、掺杂、合金化以及相关的硫属化合物基一维纳米器件（NANOdevice）的制备、性能测量与分析。...

论文摘要碳纳米线圈具有独特的三维螺旋结构,与碳纳米管相比,具有更加优秀的机械特性以及电磁特性。可以用于场发射装置、电磁波吸收薄膜和纳米弹簧等。目前,人们广泛地研究了碳纳米线圈的...

论文摘要近年来,纳米材料因其特有的物理、化学性质成为功能材料及电子器件等领域的研究热点之一。随着纳米制备技术的不断进步,具有分级结构的纳米材料因其独特的形貌与结构特征,在改善材...

论文摘要SnO2是典型的n型宽禁带半导体材料,具有负的电子亲和势。SnO2具有优良的物理和化学性能,现已应用于太阳能电池、高温电子器件、气敏传感器、透明导电玻璃和平板显示器等领...

论文摘要本论文内容分为两部分。第一部分是使用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算研究了化合物晶体的各向异性光学性质以及Heusler合金晶体的磁光效应（AuMnSb和AuMnS...

论文摘要本文围绕制备大面积一维纳米半导体材料阵列这一主题,利用水热法和层层沉积法制备了一系列大面积生长的有序阵列,并研究了它们的场发射性能。论文主要有以下几个部分:1.利用水热...

论文摘要场发射显示器件具有非常突出的优点:体型纤薄、画质优良、视角宽阔、响应迅速、便于数字化控制、抗电磁干扰能力强等,被认为是取代CRT的理想平板显示器件。碳纳米管长径比很大、...

论文摘要由于碳纳米管(CNTs)和氧化锌纳米材料具有独特的化学稳定性、优异的电学性能,在电子学,物理学,化学,光学和生物医学等领域有着广泛的应用前景。最近,为了改进CNT的光学...

论文摘要场发射阵列可以广泛应用于平板显示、微波器件、场发射传感器等领域。其中作为微波器件的电子源尤为突出。由于目前理论还需进一步发展和工艺技术的限制,制备高性能的场发射阴极阵列...

论文摘要1995年发现碳纳米管(carbonnanotubes,CNTs)具有发射电子的特性后,众多科研工作者被吸引到对其场发射性质的研究中[1]。笔者拟采用纳米银浆低温烧结技...

论文摘要一维纳米SiC材料由于其宽带隙半导体特性,具有比石墨材料更低的功函数,且具有高的热稳定性、化学稳定性和机械强度,因而一维纳米SiC材料成为场发射阴极的优质备选材料,在大...

论文摘要碳纳米管自1991年被发现以来,它以优异的物理、化学、电学等方面性能引起了广大学者的研究兴趣。碳纳米管具有纳米级发射尖端、大长径比、高强度、高韧性、热稳定性和导电性好等...

论文摘要碳纳米管的发现,引起了全世界众多科学家的广泛关注,其优异的电学、力学、磁学性能,在许多领域有广泛的应用前景。尤其是它具有大的长径比,低的功函数,良好的导电性和纳米级的曲...

论文摘要TCNQ（tetracyanoquinodimethane）,全名7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷,是一种良好的有机电子受体,可以与很多电子给体（如TTF,碱金属或碱...

论文摘要TiN因具有高强度、高硬度、高熔点、高化学稳定性、耐磨损、良好的导热性等一系列优点以及在增强材料的光致发光、改变半导体的带宽等方面的应用而成为目前广泛研究的材料之一。一...