场发射论文

论文摘要低能电子点源显微镜（Low-EnergyElectronProjectionSourceMicroscope,LEEPS）是利用几十到几百电子伏特的低能电子,观察微观物...

论文摘要作为最典型的和最具有代表性的纳米材料之一,碳纳米管因其特有的物理、化学性质及其新颖的结构和在未来高科技领域的许多潜在应用价值而倍受人们的关注,成为材料科学领域的研究热点...

论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3．37eV，激子束缚能为60meV，远大于室温热能（26meV），因而理论上会在室温下获得高效的紫外激子发光和激...

论文摘要使用基于密度泛函的第一原理方法,我们研究了几种一维半导体纳米结构的本征的和掺杂状态的电子性质,由此提出了若干器件设计的构想。首先,我们研究了单晶结构的硅纳米管的电子性质...

论文摘要近几年来,ZnO一维纳米结构的制备和物性研究正掀起一股极大的热潮。一维纳米ZnO不仅具有通常一维纳米材料共有的优点,还拥有许多独特、迷人的性质,因而被认为是最重要的无机...

论文摘要一维纳米材料由于具有大的长径比、高的各向异性、特殊的结构以及易于组合成器件等特点,引起了国内外研究者的极大兴趣。对一维纳米材料形貌的控制、生长机理的探索以及各种性能的测...

论文摘要本论文针对既具有重要应用价值,又具有基础理论研究意义的纳米体系下半导体薄膜的场发射性能,以及相应体系中的结构效应做了较为系统和深入的理论研究。其目的一方面在于揭示已知量...

论文摘要近年来，由于在场发射平板显示器及其它真空微电子器件中的重要应用，场发射阴极材料已成为微电子材料研究中的一个热点。本文首先通过简便的无机气—固相元素反应，在铜基底上，成功...

论文摘要以场致发射理论为基础的真空微电子器件,因其具有功耗低、电流密度大、频率高等诸多优点而倍受人们关注。场发射阴极作为真空微电子器件最核心的部分,其性能的好坏直接决定了场发射...

论文摘要在本论文中，我们分别采用了热蒸发法、溶液处理法以及水热合成法等不同方法，制备出形貌各异的ZnO微米／纳米结构，如纳米梳、纳米棒、纳米线、纳米带、针管状纳米结构、双节棍纳...

论文摘要本文研究了直流辉光等离子体放电特性,研究了电极间距、电压、放电电流、气压等放电参量的关系及对等离子体状态的影响,建立了CVD方法制备碳纳米管的工艺。通过扫描电子显微镜、...

论文摘要宽带隙半导体材料和高介电常数材料是当今微电子领域的前沿研究课题。SiC是宽带隙半导体的核心材料之一，但其体材料制备较难、价格偏高，严重制约SiC基器件的实际应用。在众多...

论文摘要氮化物由于其在各个领域（如半导体，环境，能源等方面）都展现出其优良的特性和广阔的应用前景，一直以来都是重要的研究对象。本文研制了高解离度的空心阴极放电氮离子束源并应用于...

论文摘要本文在国家973计划和上海市纳米专项的资助下，以碳纳米管场发射平板显示器件（CNT-FED）的实用化和产业化为目标，开展CNT-FED器件制备的关键技术研究。本论文中对...

论文摘要栅控脉冲行波管具有增益高、功率大、工作频带宽、体积小、重量轻、可靠性好等一系列优点，现已被广泛应用在卫星通讯、电子对抗、雷达、导弹控制等系统中，同时在现代信息中起着非常...

论文摘要多孔硅的研究与开发对于实现硅基光电集成电路具有重要意义。稀土掺杂多孔硅可以获得从紫外、可见到红外波段的有效发光,可应用于各类光电器件中。本论文主要在多孔硅的制备工艺改进...

论文摘要随着科学技术的发展，对纳米材料的研究越来越重要。宽禁带金属氧化物纳米结构的制备和应用是当今纳米材料领域的研究热点之一，这些金属氧化物大多是优良的半导体材料，同时又具有纳...

论文摘要一维ZnO纳米材料以其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。而一维纳米结构ZnO材料大规模、低成本和简单有效的合成与组装无论...

论文摘要第三代半导体材料中的ZnO和GaN的禁带宽度都在3.4eV左右，它们的发光波长在紫外波段，这个属性使得它们在半导体材料中处于不可取代的位置。氧化锌（ZnO）是一种直接宽...

论文摘要在本文中，我们采用ZnCl2溶液和浓氨水（25％），利用一种简单的水热法合成了不同形貌的氧化锌（ZnO）纳米/微米结构。同时对于ZnO纳米结构在场发射、生物传感器、气体...