• 高压RESURF-LDMOS的研究与设计

    高压RESURF-LDMOS的研究与设计

    论文摘要LDMOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET)作为一种横向功率器件,其电极均位于器件表面,易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它器件的单片集...