常压化学气相淀积论文

基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长研究
论文摘要SiC是一种宽带隙半导体材料,具有带隙宽、临界击穿场强高、饱和电子漂移速度大等优点,是高温、高频、高功率半导体器件的首选材料,在微电子学领域具有广阔的应用前景。由于Si...