常压烧结论文
电子封装用AlN烧结工艺及机理
论文摘要氮化铝陶瓷导热性能良好,是集成电路基板和电子封装的理想材料。但氮化铝为强共价键结合物,熔点高,自扩散系数小,通常需要热压烧结才能制备出高致密的氮化铝陶瓷。并且氮化铝对氧...ZrB2/SiC复合粉末制备及其烧结性能研究
论文摘要SiC陶瓷的致命弱点是脆性,且室温强度较低,使其应用受到一定的限制。二硼化锆(ZrB2)具有高熔点、高硬度、导电导热性好等优异性能,是一种引人注目的超高温结构陶瓷材料。...BaHfO3:Ce陶瓷闪烁体材料的制备与显微组织研究
论文摘要BaHfO3:Ce是一种新型陶瓷闪烁体材料,具有简单立方结构,光学各向同性,密度高,阻止本领强,衰变时间短等优点,是适应于快速响应探测器的一种极有前途的陶瓷闪烁体材料,...冯杰:CaO–Al2O3–SiO2复合烧结助剂添加量对ZrO2/Al2O3复相陶瓷性能的影响论文
本文主要研究内容作者冯杰,赵介南,凌可君(2019)在《CaO–Al2O3–SiO2复合烧结助剂添加量对ZrO2/Al2O3复相陶瓷性能的影响》一文中研究指出:以Al(NO3)...