• 新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究

    新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究

    论文摘要随着MOSFET特征尺寸的不断减小,为了有效抑制器件的短沟道效应,一直以来,在MOSFET栅介质层厚度不断减小的同时,其源漏结深也不断减小。然而,随着器件尺寸进一步缩小...