超晶格论文

论文摘要近几十年来，纳米材料引起了人们广泛的关注，它成为了基础研究和技术应用科学的主要研究内容。在催化，太阳能电池，发光二级管，锂离子电池和气敏等应用领域，控制半导体纳米晶的形...

论文摘要单原子层的石墨单晶体，即由碳原子构成的可达宏观尺寸的二维蜂巢状晶格结构，称为石墨烯单层，简称为石墨烯（Graphene）。由数层石墨烯单层靠范德瓦尔斯键堆栈而成的准二维...

论文摘要AlxGa1-xN的禁带宽度可以连续的从3.4eV（GaN）变化到6.2eV（AlN），对应的光波波长范围为200360nm，它是实现紫外日盲区（200280nm）光学...

论文摘要基于密度泛函理论的第一性原理计算方法逐渐成为重要的研究手段,在物理、化学、生物等领域发挥了重要的作用。第一性原理计算方法的运用极大地促进了材料的研究,为寻找功能材料提供...

论文摘要AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度调节,并可与GaN等材料晶格匹配,因此AlInN是比AlGaN和InGaN更为优异的三族氮化物三元合金材料。然而制备高...

论文摘要第三代半导体GaN与AlN合成的AlxGa1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大（3.4eV～6.2Ev）且连续可调,对应吸收光的波段在20...

论文摘要本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段：（1）、首先介绍了GaN的基本性质和生长过程中的主要影响参数,...

论文摘要钙钛矿型LaMnO3（LMO）氧化物体系因其结构的特殊性及磁电特性的奇异性质在近年来一直是凝聚态物理研究的热点问题之一。这类物质在固体燃料电池、固体电解质、传感器和催化...

论文摘要采用固相法和共沉淀法分别制备出SrTiO3、SrTi0.8Nb0.2O3和LaAlO3多晶靶材,并用XRD对其进行了分析。利用脉冲激光沉积（PLD）技术,首先摸索出在L...

论文摘要ZnO是一种重要的宽带隙半导体材料,与GaN的带隙宽度基本上相同,是制备紫外半导体发光器件和半导体激光器的理想材料。与GaN相比,ZnO不仅具有生长温度低、无毒、原料成...

论文摘要具有超晶格结构的InMO3（ZnO）m同系物化合物,由于拥有优良的光电性能,一直受到人们的关注。近年来,大量的InMO3（ZnO）m准一维超晶格纳米线被成功制备。但是到...

论文摘要与自旋相关的量子输运研究是当前自旋电子学领域的一个热点课题。本文在简单地回顾了半导体量子阱、超晶格和量子点的概念之后,对量子输运中常用的几种研究方法作了简单的介绍,如L...

论文摘要由于铁电材料具有极好的压电﹑介电和热释电性能,以及广阔的应用前景,一直受到人们的广泛关注和重视。基于这类材料广泛和潜在的应用价值,对铁电体的理论研究具有重要的学术意义。...

论文摘要本篇论文是应用线性自旋波近似和格林函数技术研究多层超晶格磁学系统的磁振子能隙。对于四层铁磁超晶格体系,发现此体系沿K_x方向存在四条谱线三个能隙。当相间隔层的自旋量子数...

论文摘要采用低压金属有机物化学气相沉积（LP-MOCVD）设备,在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,它可用来制作非制冷红外探测器。分析了In...

论文摘要在当代物理学领域中,凝聚态物理学占有极其重要的地位,而在凝聚态物理学的新进展中,低维物理又是一个极其活跃的分支,有着丰富的研究内容和深刻的物理内涵。它所描述的对象是一些...

论文摘要本文用分子束外延法在半绝缘GaAs（001）衬底上成功生长了InSb/InAsSb超晶格薄膜材料,并对薄膜表面形貌、断面形貌、晶体结构、元素扩散和光电性能等进行了研究。...

论文摘要近年来,含铋层钙钛矿结构的铁电薄膜（BLSF）引起了人们的极大兴趣。其中,稀土元素Nd掺杂的钛酸铋Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNT）薄膜是应用于铁电存储器的...

论文摘要GaSb/GaAs薄膜及InAs/GaSb超晶格等GaSb基材料作为重要的光电功能材料在中远红外探测等领域展现出了极大的应用前景。本文主要研究了GaAs衬底上GaSb薄...

论文摘要宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求,是近年来光电子材料领域研究的热门...