• P型ZnO薄膜的优化制备及其应用

    P型ZnO薄膜的优化制备及其应用

    论文摘要ZnO是一种新型的II-VI族直接宽带隙化合物半导体材料。室温条件下,其禁带宽度为3.37eV(对应紫外光的波长),激子束缚能为60meV(有利于实现高效率的激光发射)...