插入层论文

氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析
论文摘要近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延（HVPE）技术由于生长速率高，能提供生长GaN自支...