![中间层对L10相FePt薄膜磁性影响的微磁学研究]()
论文摘要随着磁记录技术的发展,记录密度飞速增长,单个记录位的面积也越来越小,就面临着两个问题的挑战：一个就是记录介质的超顺磁性极限；另一个就是对面积越米越小的单个记录位信息的快...
![硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究]()
论文摘要近几年来,在Si衬底上生长GaN取得了很大的进展。相对于不导电的蓝宝石衬底,Si衬底的散热好,价格低,并且已经成功研制出了垂直结构的LED。相对于同侧结构的LED,垂直...
![硅衬底蓝光LED P层厚度优化及其应力研究]()
论文摘要近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN/GaNLED在薄膜生长以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显示和背光等领域,半导体照明市场已经启动。然...
![基于ECR-PEMOCVD技术的GaN和InN薄膜的生长及性能研究]()
论文摘要以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料,由于其在光电子和微电子器件上的应用前景,受到了人们极大的关注。2002年的研究表明,氮化铟（InN）的禁带宽度为0.7e...
![Si衬底GaN基功率型LED芯片性能研究]()
论文摘要自从1989年第一支具有pn结的蓝光发光二极管（LED）问世以来,LED发展已经超过60年。GaN基LED是市场的主力,主要的成员是蓝光和绿光LED,还包括使用荧光粉获...
![利用金属氧化法在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究]()
论文摘要本文利用直流对靶磁控溅射的方法在氮化硅、导电玻璃、玻璃以及多孔硅四种衬底上制备金属钒薄膜,然后对其退火氧化得到具有较高电阻温度系数的氧化钒薄膜,这是一种本课题组以前未曾...
![热丝化学气相沉积制备大面积金刚石薄膜工艺的研究]()
论文摘要由于金刚石薄膜有许多特殊而优越的性质,长期以来人类一直对它进行各种性质研究,以期充分利用。近年来,化学气相沉积金刚石的研究取得了很大进展,在某些方面已达到了实用阶段。同...
![Si基LED材料位错与器件钝化研究]()
论文摘要相对于蓝宝石和SiC而言,Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配和热失配,Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更大的挑战。本文就SiN钝化膜对...
![铋系超导带材的溶胶—凝胶法制备及其工艺优化]()
论文摘要本文采用溶胶-凝胶（SOL-GEl）法制备了BSCCO超导带材,研究了溶胶-凝胶方法合成Bi-2212粉体形成的不同前驱溶胶对成相的影响,同时对制备BSCCO带材使用的...
![PLD法在Si衬底上取向生长Ba0.5Sr0.5TiO3/La0.5Sr0.5CoO3薄膜的研究]()
论文摘要由于具有优良的铁电和介电性质,Ba1-xSrxTiO3（BST）薄膜在微波移相器,动态随机存贮器,热释电红外探测器等方面有着很好的应用前景。本文使用固相反应烧结法制备B...
![RF MEMS器件集成及其功能材料应用研究]()
论文摘要由于在低阻Si衬底上制作微波无源器件的损耗极大,且衬底电阻率越低,损耗越大,且所制作的Si器件的工作频率受到了限制,因此几乎无法在低阻硅表面上直接制作微型CPW传输线和...
![宽禁带半导体纳米结构制备及其场发射应用研究]()
论文摘要宽禁带半导体纳米结构材料具有宽禁带半导体较宽的禁带宽度,同时又具有纳米材料特殊的物理和化学性质,这些使它们在光、电、磁和生化等各个领域有很大的应用前景,引起了人们对它的...
![铁电SBN60薄膜的制备及性能研究]()
论文摘要本论文探讨了SBN60薄膜的溶胶-凝胶（Sol-Gel）法以及脉冲激光沉积（PLD）法生长技术及其原理。在Sol-Gel法制备中，分别用NbCl5，KOH和Nb（OC2...
