• 氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究

    氧化法制备硅基SiGe弛豫衬底的研究

    论文摘要Si基SiGe异质结构因其优良的性质,与成熟的Si工艺相兼容,成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制,是实现高性能...