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原子层淀积高介电常数栅介质研究
论文摘要随着微电子技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸一直按照摩尔定律不断地缩小。然而,当传统栅介质SiO2的厚度减...