论文摘要ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽带半导体材料,Zn...
论文摘要离线低辐射(Low-E)薄膜凭借其优秀的光谱选择性而广泛应用于建筑领域。但是却存在膜层厚度难以把握,功能层稳定性差、易氧化、与基底粘附力弱等问题。本文以Drude模型为...
论文摘要能源短缺问题已经成为本世纪制约社会进步和经济发展的重大问题。随着煤、石油、天然气三大传统非可再生能源日益枯竭,发展新的清洁能源来代替传统能源已经成为解决能源危机最有效的...
论文摘要AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度调节,并可与GaN等材料晶格匹配,因此AlInN是比AlGaN和InGaN更为优异的三族氮化物三元合金材料。然而制备高...
论文摘要磁控溅射技术是目前薄膜制备领域中最常用的技术之一,具有低温、高效两大优势。在膜层制备过程中,通常在基体上施加一定的负偏压配合磁控溅射镀膜,且大量研究表明,基体加负偏压可...
论文摘要镁锂合金是目前为止最轻的金属结构材料,具有密度小,比刚度、比强度高,减震性好等优点,广泛应用于电子产品、汽车及航空航天等领域;但是镁锂合金的耐腐蚀性差,阻碍了它本身的广...
论文摘要Cu-W、Cu-Mo均属典型二元难混溶合金,由于具有较大的正混合焓(铜钨体系AHmix>+35.5KJ/mol,铜钼体系AHmix>+28KJ/mol),很...
论文摘要本论文采用在JGP450复合型高真空多靶磁控溅射设备上采用分离靶磁控反应溅射制备了MoN单层膜和TiMoN复合膜,研究了靶功率对MoN单层膜和不同Mo含量的TiMoN复...
论文摘要ZnO:Al(AZO)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物(TCO)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料丰富,价格低廉且无污染...
论文摘要多铁材料是指包含两种及两种以上铁性(铁电、铁磁、铁弹)的材料。目前铁电有序和铁磁或反铁磁有序共存的铁磁电多铁材料具有磁电耦合效应,引起人们的广泛兴趣。磁电耦合效应使得多...
论文摘要ZnO薄膜材料因具有无毒、源材料丰富、相对生长温度低和在强H等离子体环境中性能稳定等特点获得了广泛研究和应用。其中ZnO:Al(AZO)薄膜由于电阻率低,在可见光区域透...
论文摘要CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜太阳能电池以其效率高、稳定性强、耐辐射、耗材少等众多优点成为近些年太阳能电池领域的研究热点。这种电池的性能主要由吸收层CIGS...
论文摘要作为一种3d过渡金属氧化物,二氧化钒在68°C附近发生金属与半导体之间的相变,发生相变时通常伴随着光学和电学常数的巨大变化。研究二氧化钒的相变机理是一件十分有意义的工作...
论文摘要ITO薄膜被认为是光电综合性能最优的透明导电氧化物薄膜之一,其在工业上也有广泛的应用,但是ITO薄膜的原料金属铟资源稀少,因此近年来,研究者一直在寻找ITO薄膜的替代品...
论文摘要如今,存储器已经非常广泛地应用于各种电子产品中,并在我们的工作和生活中扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发展,对存储器的性能也提出了更高的要求,如高速...
论文摘要CrAlN涂层是一种新型性能优异的硬质涂层,因其具有优异的力学性能和抗高温氧化性能而成为涂层领域的研究热点。本文选择直流反应磁控溅射工艺,研究了工艺参数、元素比例对Cr...
论文摘要掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜作为一种性能优异的多功能材料引起了研究人员的普遍关注,被认为是当前极具发展潜力的传统铟锡氧化物(ITO)薄膜的替代者。本文采用AZO陶瓷...
论文摘要氢气作为新型清洁能源是人们追求环境和能源和谐统一的最佳选择。随着氢气在工业中大量生产和应用,研制出性能良好、结构简单的氢敏传感器成为人们关注的课题。LaNi5是一种Ca...
论文摘要本文对典型的双层纳米复合热障涂层的制备工艺、组织结构、耐高温性能进行研究,以GH3128高温合金为基体,采用两种技术制备热障涂层系统:1)溅射-电泳复合技术,即先采用磁...
论文摘要太阳能作为一种新型清洁能源,是未来社会的主要能源之一。目前市场上仍以Si太阳电池为主,Cu(InGa)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池具有转换效率高、廉价、稳定等特点。...