• 纤维基ZnO/Ag/ZnO多层膜的制备、形貌及光电性能研究

    纤维基ZnO/Ag/ZnO多层膜的制备、形貌及光电性能研究

    论文摘要氧化锌(ZnO)纳米薄膜作为一种重要的新兴光电子信息材料,不仅具有在可见光区高的透光率、在红外区高的反射率以及较高的电导率等光电特征,而且具有成本低、资源丰富、无毒、高...
  • 磁控溅射辅助低温离子渗硫固体润滑薄膜的组织结构与摩擦学性能

    磁控溅射辅助低温离子渗硫固体润滑薄膜的组织结构与摩擦学性能

    论文摘要摩擦磨损是机器零部件的主要失效形式之一。为了提高零部件的性能和使用寿命,传统的方法是使用油润滑。但油润滑在一些苛刻的条件下就会失去作用,如高温、高压、高速、真空。而在这...
  • 基于高频声表面波滤波器的AlN/金刚石多层膜制备研究

    基于高频声表面波滤波器的AlN/金刚石多层膜制备研究

    论文摘要随着高频通信技术的发展,声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高,高频应用系统的不断发展显著增大了高频声表面波器件的市场需求。由于传统的SAW材料声速低,通常低于400...
  • 退火处理对LaAlO3薄膜微结构及性能的影响

    退火处理对LaAlO3薄膜微结构及性能的影响

    论文摘要随着科学的进步和微电子技术的飞速发展,硅基集成电路的集成度越来越高。而集成度的提高是以其核心器件金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)特征尺寸的逐渐减小为基础的。...
  • 磁控溅射法制备Zr-Cu合金薄膜

    磁控溅射法制备Zr-Cu合金薄膜

    论文摘要本文采用磁控溅射法在Si(100)单晶衬底上制备ZrxCu1-x(0.15≤x≤0.95)二元非晶合金薄膜,采用能谱仪(EDS)表征薄膜的成分,采用台阶仪研究溅射参数如...
  • 二氧化钒粉体和薄膜的制备工艺研究

    二氧化钒粉体和薄膜的制备工艺研究

    论文摘要本论文研究了以V2O5为原料,通过化学液相沉淀法再加真空热处理法制备未掺杂和掺钨VO2粉体的工艺技术,在此基础上以所制备粉体为原料制作VO2靶材,通过磁控溅射工艺再加真...
  • SnO2材料的第一性原理研究及其薄膜制备

    SnO2材料的第一性原理研究及其薄膜制备

    论文摘要SnO2是目前应用最广泛的一种气敏材料,可以用来检测各种易燃、易爆及危险气体。本文从理论和实验两方面对其进行了研究。采用基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2的体相结构...
  • 木质电磁屏蔽材料的研究

    木质电磁屏蔽材料的研究

    论文摘要木材属于电的不良导体,不具备抗电磁辐射的功能,而其与金属通过适当方式复合而成的新材料,不仅可以保持木材的天然特性,还具有金属的电性能,能有效地抑制各种电磁波及其产生的电...
  • 镍钛合金表面a-C:F膜的制备与性能研究

    镍钛合金表面a-C:F膜的制备与性能研究

    论文摘要随着现代材料科学以及生物医学科学的迅猛发展,生物材料在临床医学领域中的应用已日趋广泛。等离子体表面改性技术在生物材料研究领域的应用成为一个热点问题。通过表面改性技术增强...
  • PZT基NiTi SMA/PZT复合材料的制备及其力、电性能

    PZT基NiTi SMA/PZT复合材料的制备及其力、电性能

    论文摘要锆钛酸铅(PZT)陶瓷具有非常稳定的压电效应,高的机电耦合系数、较好机械品质因子,在作为传感器、驱动器应用时,具有高灵敏度、低电噪声等优势,但由于其力学性能较差,严重限...
  • 低介电常数CN_x薄膜的制备研究

    低介电常数CN_x薄膜的制备研究

    论文摘要微电子器件在快速发展,器件的性能不断完善,集成度不断提高,随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,器件工作频率受到...
  • TiO2纳米管阵列的制备及其复阻抗研究

    TiO2纳米管阵列的制备及其复阻抗研究

    论文摘要TiO2是一种重要的无机功能材料,在许多领域有广泛的应用前景.TiO2纳米管比纳米粉体,纳米膜具有更大的比表面积,因而具有更高的吸附能力,可望进一步提高TiO2.的各种...
  • 硅基硅碳氧薄膜发光材料的制备与特性研究

    硅基硅碳氧薄膜发光材料的制备与特性研究

    论文摘要随着芯片尺寸和线宽的缩小,电子漂移速度越来越成为芯片提速的瓶颈,用速度最快的光信号代替原来的电信号进行信息的传输和处理是突破这一瓶颈的有效途径。硅基发光材料由于其制造与...
  • VO2薄膜的电光开关性能

    VO2薄膜的电光开关性能

    论文摘要二氧化钒是一种具有热致相变特性的金属氧化物,随着温度的变化,大约在68℃附近,发生从低温半导体相到高温金属相的可逆相变。由于相变温度接近室温,且相变前后材料的光、电性能...
  • ZnO紫外光敏电阻制备及电子能带分析

    ZnO紫外光敏电阻制备及电子能带分析

    论文摘要ZnO作为重要的短波长光电材料在紫外探测领域具有极为广阔的发展前景,紫外探测技术无论在生产生活还是国防科技中的应用愈来愈广泛。本论文探究了溶胶-凝胶方法(Sol-Gel...
  • Ni-Ti系合金薄膜磁控溅射制备工艺及特性研究

    Ni-Ti系合金薄膜磁控溅射制备工艺及特性研究

    论文摘要本文采用直流磁控溅射法分别在玻璃和单晶硅(100)基体上沉积Ni-Ti形状记忆合金薄膜;在玻璃衬底上分别用单靶和双靶沉积了Ni-Ti-Hf-Cu形状记忆合金薄膜,测定了...
  • WO3薄膜的制备及性能研究

    WO3薄膜的制备及性能研究

    论文摘要纳米三氧化钨是重要的半导体材料,在信息存储、变色窗、燃料电池、化学传感器等领域有着广泛的应用前景,成为目前最具开发潜力的材料之一。而特殊结构和形貌是影响材料性质的主要因...
  • DLC基固体润滑复合薄膜制备及性能表征

    DLC基固体润滑复合薄膜制备及性能表征

    论文摘要类金刚石(DLC)薄膜因其诸多独特的性能,包括高硬度、低摩擦系数、高电阻率、高热导率、良好的化学稳定性和突出的抗腐蚀能力等优点,已经在机械、信息技术、航空航天、光学和医...
  • 磁控溅射NdFeB/Co多层膜组织结构及磁性能研究

    磁控溅射NdFeB/Co多层膜组织结构及磁性能研究

    论文摘要本文采用磁控溅射法制备了NdFeB单层膜以及NdFeB/Co交替多层膜,利用SEM、AFM、XRD、VSM、SQUID等方法,测定了薄膜的厚度、表面形貌、相结构和磁性能...
  • 用于硅基铁电电容器集成的Ni-Ti、Ni-Al阻挡层研究

    用于硅基铁电电容器集成的Ni-Ti、Ni-Al阻挡层研究

    论文摘要采用磁控溅射法(magnetronsputtering),室温下在Si(001)基片上制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Ti、Ni-Al以及电极La0.5Sr...