基结论文

P型ZnO薄膜及其p-n结的制备与性能的研究
论文摘要zno是n一IV宽禁带半导体材料，禁带宽度为3.37eV，属于六方纤锌矿结构，具有压电、热电、气敏和光电等多种性能，在很多领域都有广泛的应用。zno具有较高的激子结合能...
P型ZnO薄膜的优化制备及其应用
论文摘要ZnO是一种新型的II-VI族直接宽带隙化合物半导体材料。室温条件下,其禁带宽度为3.37eV（对应紫外光的波长）,激子束缚能为60meV（有利于实现高效率的激光发射）...