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大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究
论文摘要随着集成电路向着高密度化和高性能化方向发展,电路特征尺寸不断缩小,互连层数不断上升.由于铜的电阻率较低,抗电迁移和应力迁移能力强,且其镶嵌制造工艺的兼容性好、成本低,因...
解决90nm及以下蚀刻中铜扩散的先进工艺
论文摘要在半导体工艺的发展中,金属连线工艺从铝互连制程转到铜互连制程是一个旅程碑式的进步,它配合低(1ow)K材料例如FSG&BD的应用,使得器件的时间延迟受金属连线的影响降低...