氮等离子体论文

N2微空心阴极放电及其阴极溅射等离子体过程
论文摘要通过用PIC/MCC方法研究氮气微空心阴极放电等离子体过程,对微空心阴极放电的基本特征作了一些理论探讨。其中带电粒子在电场中的运动由PIC方法描述,粒子间的碰撞以及溅射...
SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性研究
论文摘要碳化硅（SiC）半导体由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性，使其在高温、高功率、高频、高辐射等领域应用前景广阔，其研究广为关注。与其它宽带隙半导体相比，SiC...