氮化氧化铪钛论文

高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究
论文摘要随着金属氧化物半导体（MOS）器件尺寸的缩小,栅极漏电急剧增加,导致器件不能正常工作。为了降低超薄栅介质MOS器件的栅极漏电,需采用高介电常数（高k）栅介质代替SiO2...