氮化铟论文

论文摘要氮化铟（InN）是InGaN合金的重要组成部分,InN使制造InGaAIN基的短波长半导体激光二极管成为可能,因此引起了广泛的关注。与其它III族氮化物氮化镓（GaN）...

论文摘要以氮化镓（GaN）为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料,由于其在光电子和微电子器件上的应用前景,受到了人们极大的关注。2002年的研究表明,氮化铟（InN）的禁带宽度为0.7e...

论文摘要在Ⅲ族氮化物半导体中,InN具有优异的电子输运性质,在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势,这些特性引起人们对InN的极大兴趣。同时,近两年来的研究表明InN的带隙...