单晶氧化物论文

先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究
论文摘要随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化层的厚度减小为...