单晶制备论文

SiC单晶制备与晶体缺陷研究
论文摘要现代科技领域对高频率、大功率、耐高温、化学稳定性好以及可以在强辐射环境中工作的电子器件的要求越来越高。SiC具有宽带隙、高临界电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点...