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单源化学气相法制备ZnO薄膜及其光电性质研究
论文摘要ZnO是一种直接宽禁带半导体材料,室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。因此可以实现室温下的高效率激子发射以及紫外发光,使得ZnO成为一种极具发展和应用...
SSCVD制备ZnO薄膜
论文摘要ZnO是一种宽带隙半导体材料(3.37eV),激子束缚能大(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,可能成为紫外激光的重要材料。由于ZnO(002)晶面表面自由能最...