导电细丝论文

NiO阻变器件的制备及其电学特性分析
论文摘要随着电子产品的发展,人们对于超便携,超低功耗以及高密度快速存储设备的需求日益紧迫。但是随着光刻工艺进入32nm量产,22nm研发的阶段,目前主流的Flash存储已经暴露...