导通电阻论文

碳化硅功率UMOSFET器件结构设计及特性研究
论文摘要由于碳化硅材料具有高击穿电场、高热导率、高电流密度、大禁带宽度、强抗辐射性等优良的性能,使碳化硅功率器件适用于大功率、高温度、高辐射等极端环境,因此碳化硅功率半导体器件...
功率VDMOS器件结构与优化设计研究
论文摘要VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。它与早期的MOS管不同,结构上采取了许多改进,因而具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数、低驱动功率...
功率UMOSFET器件新结构及其特性研究
论文摘要功率槽栅MOS（UMOSFET）是在VDMOS和VMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,由于功率UMOSFET可以从工艺技术上有效的降低器件的特征导通电阻（RON）...
关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究
论文摘要本文首先介绍了功率MOS管的UIS(unclampedinductiveswitching)测试原理及重要性,通过某公司的实际的案例,解释UIS和产品质量之间相互关系,...